パワーMOSFET、ゲート・ドライバ、保護回路を内蔵し、小型化、設計簡略化、組立合理化を実現するフル・ブリッジSiPを発表

[STマイクロエレクトロニクス]
[画像: https://prtimes.jp/i/1337/824/resize/d1337-824-167837-0.jpg ]

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、600V/8Aの単相パワーMOSFETフル・ブリッジを搭載した小型（13 x 11mm）のシステム…
Source: 国内旅行プレリリース