パワーMOSFET、ゲート・ドライバ、保護回路を内蔵し、小型化、設計簡略化、組立合理化を実現するフル・ブリッジSiPを発表

[STマイクロエレクトロニクス]
[画像: https://prtimes.jp/i/1337/824/resize/d1337-824-167837-0.jpg ]

STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、600V/8Aの単相パワーMOSFETフル・ブリッジを搭載した小型(13 x 11mm)のシステム…
Source: 国内旅行プレリリース

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